可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了，在您了解的知識(shí)中,，您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎？下面正高電氣來(lái)講解一下,。

可控硅模塊的工作條件：

1.當(dāng)可控硅模塊承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),，不管門級(jí)承受哪種電壓，可控硅模塊都會(huì)處于斷開狀態(tài),。

2.當(dāng)可控硅模塊經(jīng)歷正向陽(yáng)極電壓時(shí)，可控硅在門級(jí)受到正向電壓時(shí)接通,。

3.當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),，只需要有一定的正極電壓，不管門極電壓怎樣,，可控硅模塊都保持導(dǎo)通,，如果可控硅導(dǎo)通后，門極將失去其功能,。

4..當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),，主電路電壓(或電流)減小到接近零時(shí)，可控硅模塊關(guān)斷,。淄博正高電氣有限公司愿與各界朋友攜手共進(jìn),，共創(chuàng)未來(lái)！濱州雙向可控硅模塊

可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看,，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）,、普通整流管模塊（MDC）,、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）,、快速晶閘管,、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)模塊MTG\MDG）,、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）,、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等,。濱州雙向可控硅模塊淄博正高電氣有限公司品牌價(jià)值不斷提升,。

您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎？

可控硅模塊導(dǎo)通的條件是陽(yáng)極承受正電壓,，只有當(dāng)正向觸發(fā)電壓時(shí),，可控硅才能導(dǎo)通。由門級(jí)施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應(yīng)使陽(yáng)極電流達(dá)到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽(yáng)極電流,，即高于電流IL,。可控硅導(dǎo)通后的電壓降很小,。

接通可控硅模塊的條件是將流過(guò)可控硅模塊的電流減小到較小的值,，即保持電流IH。有兩種方法：

1.將正極電壓降低至數(shù)值,，或添加反向陽(yáng)極電壓,。

2.增加負(fù)載電路中的電阻。

以上是可控硅模塊的導(dǎo)通狀態(tài),，希望能幫助您

接下來(lái)需要檢測(cè)的是控制極與陰極之間的PN結(jié)是否損壞,。我們可以用萬(wàn)用表的R×1k或R×10k擋測(cè)陽(yáng)極與控制極之間的電阻，正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上,，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路,。用R×1k或R×100擋，測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右,，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o(wú)窮大,，表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大,，但不能為無(wú)窮大,。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。

  如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞,，工程師可以使用萬(wàn)用表選電阻R×1擋,，然后將黑表筆接陽(yáng)極，紅表筆仍接陰極,，此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng),。紅表筆接陰極不動(dòng)，黑表筆在不脫開陽(yáng)極的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制極,，此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)極接黑表筆,，陰極接紅表筆時(shí),，萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說(shuō)明該單向可控硅已擊穿損壞。淄博正高電氣有限公司與廣大客戶攜手共創(chuàng)碧水藍(lán)天,。

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管,，所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管,，簡(jiǎn)稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR,。

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。

可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,，如果超過(guò)此頻率,，因元件開關(guān)損耗明顯增加，允許通過(guò)的平均電流相降低,，此時(shí),，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用。

可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開通,、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花,、無(wú)噪音;效率高,，成本低等等。

可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通,。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形。淄博正高電氣有限公司得到市場(chǎng)的一致認(rèn)可,。濱州雙向可控硅模塊

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